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年度国际第三代半导体盛会在厦门胜利闭幕
先进半导体 | 2023-12-04 14:47:43    阅读:134   发布文章

2023年11月30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心胜利闭幕。

中关村半导体照明工程研发及产业联盟荣誉主席、中国科学院特聘研究员、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽,亚欧科技创新合作中心秘书长朱世龙,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲,第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华,中关村半导体照明工程研发及产业联盟秘书长阮军,宁波市电子行业协会专家委员会主任任奉波,工信部中小企业发展促进中心人力资源研究所副所长陈琛,清华大学国家服务外包人力资源研究院副院长毛居华,株洲中车时代半导体有限公司总经理罗海辉,TCL华星股份有限公司副总裁李治福,黑龙江省医学科学院副院长,哈尔滨医科大学伍连德书院院长教授张凤民,厦门大学教授康俊勇,南京大学教授陆海等领导嘉宾以及产学研用不同领域的专家、学者、企业家代表们共同出席闭幕式。

赵璐冰--第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长主持闭幕大会

技术进步不止 创造产业发展新图景

当前,新的科技变革正在以超越人们想象的方式加速进行,重塑世界。随着时代对更高性能和更高功率密度需求的不断增长,具有高频、高功率、高温度等优秀特质的第三代半导体技术成为各种领域的关注焦点,技术的提升将带动更多应用的开展,创造出更多产业发展的新图景。闭幕大会主旨报告环节,三大代表性实力派主题报告带来产业技术的最新进展与发展趋势分享,从不同角度探讨发展新篇章。

罗海辉--株洲中车时代半导体有限公司总经理

在新能源汽车等需求牵引下,高效电驱用功率半导体器件需求不断提升。各类型功率半导体器件在汽车电驱市场将长期并存,市场对汽车电驱高效率的要求,SiC器件占比逐年攀升。株洲中车时代半导体有限公司总经理罗海辉在《高效电驱用功率半导体器件技术创新》报告中表示,高效电驱是解决里程焦虑、降低成本、助推新能源汽车进一步发展的关键,功率半导体器件是提升电驱效率的核心。

李治福--TCL华星股份有限公司副总裁

AIoT的四大底层技术为智能终端赋能,运算、感测、通信、交互;四者得益于半导体底层技术的发展而快速进步。万物皆智时代,信息交互贯穿所有场景。AIoT的TCL华星股份有限公司副总裁李治福在《芯动视界,智领万物》报告中分享了智能驾舱、生产娱乐、智慧城市、元宇宙等领域的进展,并表示,智能物联网前景广阔,期待与各专业领域的伙伴开展技术合作,创新孵化,合作共赢。

Stefaan DECOUTERE--比利时微电子研究中心(IMEC)GaN负责人

八英寸扩展的氮化镓(GaN)集成电路(IC)平台是在八英寸(200毫米)硅基衬底上实现的一种先进的技术。通过优化设计、采用先进的封装技术和实现可靠的故障保护机制,这样的平台有望推动电力电子领域的发展,提高系统性能和能源效率。比利时微电子研究中心(IMEC)GaN 负责人Stefaan DECOUTERE在《用于单片集成电力电子电路的200mm扩展GaN IC平台》报告中讨论了基线过程的扩展,包括其他组成部分。用DCFL代替RTL的LV d模式设备,低压和高压横向肖特基二极管,以及衍生设备等研究进展。

凝聚先进力量,持续支持产业新发展

本届论坛时值国家半导体照明工程启动20周年,以及中国国际半导体照明论坛20周年,历经20年的成长蜕变,论坛已成为国内第三代半导体产业最坚定的支持和推动力量,并将持续升级。本届盛会汇聚全球顶级精英,星光熠熠,全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。同时展览展示精彩回顾半导体照明产业二十周年辉煌发展历程,并全链条聚焦第三代半导体产业发展。此外,还有诸多亮点活动,论坛整体内容丰富热烈。

闭幕式期间,举行了“2023年首届企校协同创新大赛特别设立半导体领域专项赛颁奖仪式”以及最佳poster颁奖仪式。据了解,为落实工业和信息化部、教育部、国家知识产权局关于“千校万企”协同创新伙伴行动计划,2023年,工信部中小企业发展促进中心联合相关机构主办首届企校协同创新大赛。首届企校协同创新大赛特别设立半导体领域专项赛,由第三代半导体产业技术创新战略联盟、广电计量检测集团股份有限公司联合主办,旨在通过大赛汇聚产业界、科研界、教育界专家资源,大力促进企业创新需求与高校及科研机构成果研发转化的深度融合。大赛自今年9月份启动以来,共有来自清华大学、复旦大学、厦门大学等60余所高校的130多支队伍报名参加比赛,也吸引来了来自半导体领域学术界、科研界、投资界、商界的100多名专家。

优秀组织者、竞赛获奖代表颁发荣誉证书

工业和信息化部中小企业发展促进中心人力资源研究所陈琛副所长和第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长冯亚东为优秀组织者、竞赛获奖代表颁发荣誉证书

---最佳poster颁奖---

一等奖

(第三代半导体产业技术创新战略联盟 吴玲 理事长、美国伦斯勒理工学院 Prof. Robert Karlicek 为获奖人颁发证书和奖品)

一等奖:《Investigation of highly reflective p-electrodes for AIGaN-based deepultraviolet light-emitting diodes》

Yu Ding', Zhe Zhuang2.*, Tao Tao1, Rong Zhang, and Bin Liu1,*

1School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

2School of lntegrated Circuits, Nanjing University

二等奖

(亚欧科技创新合作中心 朱世龙 秘书长、 匈牙利科学院物理所原所长、ISA顾问委员会成员Prof. Istvan Barsony 为获奖人颁发获奖证书和奖品)

二等奖:Epitaxy Behavior of Superlattices in InGaN/GaN Nanorod Structure and Suppression of Point Defects

Jinjian Yan1, Weifang Lu1,2* Jinchai Li1,2, Kai Huang1,2, Junyong Kang1,2, and Rong Zhang1,2

1 Fujian Key Laboratory of Semiconductor Materials and Applications, CI Center for OSED, Department of Physics, Xiamen University

2 Future Display Institute in Xiamen

二等奖:Recess-Free Thin-Barrier AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes with Ultra-Low Leakage Current: Experiment and Simulation Study

Jianxun Dai1,2, Huimin Yu1, Huolin Huang1,*, Taisen Ye1, Yun Lei1, Nan Sun1, Dawei Li1, Hao Zheng2, Hui Huang3, and Yung C. Liang4

1 School of Optoelectronic Engineering and Instrumentation Science, Dalian University of Technology

2 Shenyang Academy of Instrumentation Science Co., Ltd.

3 Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Dalian University of Technology

4 Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore

三等奖

(南京大学 陆海教授、中微半导体设备有限公司 郭世平 副总裁 为获奖人颁发证书和奖品)

三等奖:Total Ionizing Effects on Static Characteristics of 1200V SiC MOSFET Power Devices with Planar and Trench Structures

Runding Luo†1, Yuhan Duan†1,2, Botao Sun2, Jon Qingchun Zhang1,2, Jiajie Fan*1,2, Pan Liu*1,2

1 Institute of Future Lighting, Academy for Engineering & Technology; Shanghai Engineering Technology Research Center for SiC Power Device

2 Research Institute of Fudan University in Ningbo

三等奖:Optimization of epitaxial structure for high-efficiency InGaN-based blue Micro-LEDs

Mengyue Mo1, Ying Jiang1, Penggang Li1, Zhiqiang Liu1, Xu Yang1, 2,Weifang Lu1, 2, Jinchai Li*1, 2, Kai Huang*1, 2, Junyong Kang1, 2, and Rong Zhang1, 2

1 Fujian Provincial Key Laboratory of Semiconductor Materials and Applications, Department of Physics, Xiamen University

2 Xiamen Future Display Technology Research Institute

三等奖:Surge Current Failure Mechanism of 4H-SiC Schottky Barrier Diode

Bin Zhang1, Yu Zhong1,2, Peng Cui1, Yingxin Cui1, Mingsheng Xu1, Handoko Linewih1, Jisheng Han1

1School of Integrated Circuits, Shandong University

2Shandong Research Institute of Industrial Technology

杨富华--第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长做闭幕大会总结

闭幕总结环节,第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华代表组委会介绍了本届会议筹办情况,本届论坛得到了业界、学界广泛的支持与积极参与,通过两场大会、230余个报告,14场主题技术分论坛、7场热点产业峰会、7场工作会议,共计28个专题活动,以及第三代半导体技术应用创新展、POSTER展示交流等多种形式的活动,全面深入探讨国内外新形势下半导体照明与第三代半导体产业的技术进展、机遇与挑战和产业生态建设,提供了新视角、新启发与新思路。据组委会初步统计,本届论坛共有来自全国各地1800余名代表注册参会,其中1600余名代表现场到会。

四天时间里,围绕着第三代半导体技术与半导体照明的前沿、热点、关键主题。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者代表们台上台下展开探讨,从不同的角度分享不同见解,观点碰撞,探求技术与产业化变革、创新与发展之道。

杨富华秘书长表示,两大论坛自诞生起有幸伴随并见证了我国半导体照明和第三代半导体产业发展壮大的历程,本届国际论坛来到美丽的厦门,圆满召开也得益于厦门地区的产业基础,感谢厦门市人民政府、厦门大学、厦门市工信局、市科技局、火炬高新区管委会和惠新研究院的大力支持。感谢与会代表们对论坛长期以来的关注与支持,也真诚邀请业界同仁们建言献策,使论坛能更好的服务产业。

论坛也初心不改,继续陪伴业界一起前行,共同见证更多产业发展的精彩时刻。


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